数值转换成低传导和开关损耗为功率因数校正反激式与双开关正激转换器
发布时间:2023/7/27 18:43:50 访问次数:169
紧凑型PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件已加入Vishay Intertechnology公司的600V和650V E系列功率MOSFET的阵容。
Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E与SiHJ7N65E可以为采用TO-252（DPAK）封装的MOSFET提供节省空间的替代品，降低照明、工业、电信、计算和消费类应用的封装电感。
这些数值会转换成低传导和开关损耗,从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
正常操作期间（SWITCHON模式），浪涌抑制器IC会持续接通外部MOSFET，将输入电压传递给输出。内部比较器会限制流经电流检测电阻器的电压，调节最大输出电流，预防过流故障。
按照传统，设计者需要使用一个很大的重型散热器方能连续操作。由于LTC7860采用了高效的开关拓扑，所以设计者可以使用小得多的散热器，或者根本不使用散热器。
该器件采用小巧的热增强型12引线MSOP封装，具有可调定时器，能够限制浪涌抑制器IC花在过压或过流调节方面的时间。
限摆率驱动器，可以减小EMI，并降低由不恰当的终端匹配电缆引起的反射，实现最高250kbps的无差错数据传输。
一款小型红外反射传感器, 该传感器通常用于线下跟随机器人,因为它可以感知表面是白色还是黑色。
QRE1113有四个引脚 - 两个控制红外发光LED，另外两个是光电晶体管的集电极和发射极。IR二极管的最大正向电流为50mA，工作频率为940nm。
交流成分使LED模组的功率发生波动，反过来又会使亮度发生变化。叠加交流的数量及频率是产生频闪的决定性因素。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E与SiHJ7N65E可以为采用TO-252（DPAK）封装的MOSFET提供节省空间的替代品，降低照明、工业、电信、计算和消费类应用的封装电感。
这些数值会转换成低传导和开关损耗,从而为功率因数校正、反激式与双开关正激转换器和面向HID与LED照明和工业、电信、消费类与计算电源适配器的硬开关拓扑节约能量。
正常操作期间（SWITCHON模式），浪涌抑制器IC会持续接通外部MOSFET，将输入电压传递给输出。内部比较器会限制流经电流检测电阻器的电压，调节最大输出电流，预防过流故障。
按照传统，设计者需要使用一个很大的重型散热器方能连续操作。由于LTC7860采用了高效的开关拓扑，所以设计者可以使用小得多的散热器，或者根本不使用散热器。
该器件采用小巧的热增强型12引线MSOP封装，具有可调定时器，能够限制浪涌抑制器IC花在过压或过流调节方面的时间。
限摆率驱动器，可以减小EMI，并降低由不恰当的终端匹配电缆引起的反射，实现最高250kbps的无差错数据传输。
一款小型红外反射传感器, 该传感器通常用于线下跟随机器人,因为它可以感知表面是白色还是黑色。
QRE1113有四个引脚 - 两个控制红外发光LED，另外两个是光电晶体管的集电极和发射极。IR二极管的最大正向电流为50mA，工作频率为940nm。
交流成分使LED模组的功率发生波动，反过来又会使亮度发生变化。叠加交流的数量及频率是产生频闪的决定性因素。
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