HD Graphics 5000的TDP就是15W级别的。尽管与Ivy Bridge相比，其性能有所提升，但是结果并不是很明显。

集成显卡的性能在近几年有了很大的提升，但是追求性能的买家们，基本还是不会去考虑它的。也因为总是落后于AMD和Nvidia的GPU，"Intel HD Graphics"也成了"不怎么样"的代名词。

Intel希望用全新的Iris集显，打破这一管惯例——即将到来的Haswell处理器上，也将预置全新的"Iris" Graphics——且其有望提供在当代Ivy Bridge处理器上、HD 4000系列集成显卡的两到三倍的性能。

由于s⒑2中场强分布不是线性的,只要达到该处S⒑2介质的击穿场强,就发生局部介质击穿,进而扩展到整个S⒑2层,这是电子负电荷积累模型。

在外场作用下,电流呈丝状形式漂移穿过S⒑2 膜,这种丝状电流直径仅数纳米,电流密度很大,而s⒑2的导热率很低(30Ok时约为0.01W/cm℃),局部地区产生很大的焦耳热使温度升高,温升又促进F N电流增加,这样互相促进的正反馈作用,最终形成局部高温。

具体击穿过程一般认为是一个热、电过程。隧穿电流与阴极场强有关。

电子负电荷积累模型s⒑2在一定电场作用下,产生F N隧穿电流,电子从阴极注入氧化层中, 注入电子在阴极附近可产生新的陷阱或被陷阱所俘获,局部电荷的积累使其与阳极间某些局部地区电场增强.

氢释放模型认为,Sio2界面附近的热电子把自身能量传递给si,引起晶格振动,在si表面就会释放一些类氢粒子,这些粒子能够越过so2和si的界面势垒,并产生陷阱、界面态和复合中心等类型的缺陷,此模型主要研究均匀应力下的器件退化。

碰撞电离模型认为,能量大于3,2cV的高能电子打断si-H键,产生了界面态。