内部补偿数字环路控制。该创新器件采用含谷底开关的恒定导通时间CrM架构。

由于内置非连续导通模式(DCM)，在频率返走工作期间谷底同步导通，因此可满足现代能效标准，包括那些要求在轻载下提供高能效的标准。

进一步减少器件数，实现逐周期电流限制，无需霍尔效应传感器。

NCP1680采用小型SOIC-16封装，也可作为评估平台的一部分，支持快速开发和调试先进的图腾柱PFC设计。

这使得R-Car V4H和外围存储器能够从车载电池的12V电源中获得高度可靠的供电。

这些功能可实现低功耗运行，同时以极低的BOM成本实现ASIL D目标合规等级以满足系统和随机硬件故障的要求。

有助于最大限度地减少硬件和软件开发工作量,同时缩减设计复杂性、成本和上市时间。

阵容广泛的SiC MOSFET，它们比硅MOSFET提供更高能效。低导通电阻(RDS(on))和小巧的芯片尺寸确保低电容和门极电荷(Qg)，以在更小的系统尺寸中提供最高的能效，从而提高功率密度。

局部放电对绝缘结构的破坏机理主要有三个方面：

带电电子元器件粒子(电子，离子等)冲击绝缘层，破坏其分子结构，如纤维碎裂，因而绝缘受到损伤。

由于带电离子的撞击作用，使电子元器件采购网该绝缘出现局部温度升高，从而易引起绝缘的过热，严重时就会出现碳化。

局部放电产生臭氧及氮的氧化物会侵蚀绝电子元件缘,当遇有水分则产生硝酸,对绝缘的侵蚀更为剧烈。

开关电源也有自己的不足，如输出电压有纹波及开关噪声，线性电源是没有的。