废弃的设备
27LV256
256K （ 32K ×8 ）低电压CMOS EPROM
特点
宽电压范围3.0V至5.5V
高速性能
- 200 ns访问时间可在3.0V
CMOS技术的低功耗
- 在3.0V 8毫安有功电流
- 在5.5V 20毫安有功电流
- 100
A
待机电流
工厂编程可用
自动插入兼容的塑料封装
自动识别辅助自动化编程
独立的芯片使能和输出使能控制
高速“快车”规划算法
有组织的32K ×8 ： JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
- 磁带和卷轴
数据保留和GT ; 200年
适用于以下温度范围：
- 商业：
0 ° C至+ 70°C
- 工业：
-40 ° C至+ 85°C
封装类型
PDIP
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
27LV256
32
31
30
4
3
2
1
A7
A12
V
PP
NU
VCC
A14
A13
PLCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
O7
O6
27LV256
14
15
16
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18
19
SOIC
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
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14
描述
Microchip Technology Inc.的27LV256是低电压
年龄（ 3.0伏） CMOS EPROM设计的电池
供电的应用。该装置是由一
32K ×8 （ 32K字节）的非易失性存储器产品。该
27LV256消耗仅为8 mA（最大值）活跃的电流
因此，在一个3.0伏的租金读操作不仅改善
荷兰国际集团的电池性能。该器件是专为
非常低的电压应用中，传统的5.0
伏只EPROMS不能使用。访问individ-
UAL从一个地址转换或电字节
（芯片使能引脚变为低电平）来完成，在不到
200纳秒为3.0V 。该设备允许系统设计人员
使用低电压的非易失性存储器的能力
今天的“低电压微处理器和外设
电池供电的应用。
包的一个完整的家庭提供提供
最灵活性的应用。对于表面安装应用程序
阳离子， PLCC和SOIC封装提供。胶带
和卷轴包装也可用于PLCC和SOIC
包。
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V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
27LV256
2004年Microchip的科技公司
DS11020H第1页
27LV256
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
表1-1：
名字
A0-A14
CE
OE
V
PP
O0 - O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程电压
数据输出
+ 5V或+ 3V电源
地
无连接;无内部
连接
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
........ -0.6V至+ 7.25V
V
PP
电压w.r.t. V
SS
中
编程......................................... -0.6V至+ 14V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
................- 0.6V至V
CC
+1.0V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
*注：超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读操作DC特性
V
CC
= +5V
±10%
或3.0V另有说明
商业：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业：
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
参数
输入电压
输入漏
输出电压
输出漏
输入电容
输出电容
电源电流，
活跃
部分*
所有
所有
所有
所有
所有
所有
C
I
状态
逻辑"1"
逻辑"0"
逻辑"1"
逻辑"0"
—
—
—
TTL输入
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
LO
C
IN
C
OUT
I
CC1
I
CC2
分钟。
2.0
-0.5
-10
2.4
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
0.45
单位
V
V
A
V
V
A
pF
pF
mA
mA
mA
mA
条件
V
IN
= 0至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
OUT
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
CC
= 5.5V; V
PP
= V
CC
F = 1兆赫;
OE = CE = V
IL
;
I
OUT
= 0 mA时;
V
IL
= -0.1 0.8V ;
V
IH
= 2.0 V
CC
;
注1
-10
—
—
—
—
10
6
12
20 @ 5.0V
8 @ 3.0V
25 @ 5.0V
10 @ 3.0V
电源电流，
待机
C
I
所有
TTL输入
TTL输入
CMOS输入
I
CC
(
S
)
—
1 @ 3.0V
2 @ 3.0V
100 @ 3.0V
mA
mA
A
CE = V
CC
±
0.2V
*配件： C =商业级温度范围
I =工业级温度范围
注1 ：典型有源电流增加每MHz 0.75毫安到工作频率为所有的温度范围内。
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2004年Microchip的科技公司
27LV256
表1-4：
编程直流特性
环境温度：环境温度Tamb = 25°C
±
5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
= 13.0V
±
0.25V
参数
输入电压
输入漏
输出电压
V
CC
目前，节目&验证
V
PP
目前，项目
A9产品Identi网络阳离子
状态
Logic”1”
Logic”0”
—
Logic”1”
Logic”0”
—
—
—
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
CC2
I
PP2
V
H
民
2.0
-0.1
-10
2.4
0.45
—
—
11.5
20
25
12.5
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
单位
V
V
A
V
V
mA
mA
V
V
IN
= 0V至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
注1
注1
条件
注1 ： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
.
表1-5 ：
编程交流特性
AC测试波形： V
IH
= 2.4V和V
IL
=0.45V; V
OH
=2.0V; V
OL
=0.8V
输出负载：
1 TLL负载+ 100pF的
环境温度：环境温度Tamb = 25℃ ± 5℃
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
=13.0V
±
0.25V
符号
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
DF
t
VCS
t
PW
t
CES
t
OES
t
VPS
t
OE
分钟。
2
2
2
0
0
2
95
2
2
2
—
马克斯。
—
—
—
—
130
—
105
—
—
—
100
单位
s
s
s
s
ns
s
s
s
s
s
ns
100
s
典型
备注
对于方案，方案验证
和编程禁止模式
参数
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
浮动延迟（ 2 ）
V
CC
建立时间
节目脉冲宽度（ 1 ）
CE建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
数据有效的OE
注1 ：对于快递的算法，最初的规划宽度公差为100
s ±5%.
2 ：该参数只采样，而不是100 ％测试。输出FL燕麦是德网络定义为点数据不
不再被驱动（见时序图） 。
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2004年Microchip的科技公司
