2SK3310
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3310
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.3 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 450 V)
增强模型： V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AR
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
10
40
40
222
10
4
150
55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.7 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
10 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2006-11-06
2SK3310
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3310
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.3 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 450 V)
增强模型： V
th
= 3.0 5.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AR
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
10
40
40
222
10
4
150
55
150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.7 mH的，R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
10 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
1
2009-09-29
2SK3310
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅极 - 源极击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
10 V
0V
10
Ω
I
D
=
5 A
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
450 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
5 A
民
±30
450
3.0
1.5
典型值。
0.48
4.3
920
12
140
25
最大
±10
100
5.0
0.65
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
V
OUT
ns
V
GS
开启时间
开关时间
下降时间
t
f
t
on
R
L
=
40
Ω
35
税
≤
1%, t
w
=
10
μs
V
DD
200 V
V
DD
360 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
10 A
10
nC
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
60
23
9
14
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏反向电流（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
280
2.7
最大
10
40
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
K3310
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
2
2009-09-29
2SK3310
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3310
开关稳压器的应用
单位：mm
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.3 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 450 V)
增强模型： V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
·
·
·
·
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AR
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
10
40
40
222
10
4
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.7 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
10 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-09-04
2SK3310
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSV ）
2SK3310
开关稳压器的应用
单位：mm
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.48
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 4.3 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
=
100
μA （最大值） （V
DS
= 450 V)
增强模型： V
th
= 3.0~5.0 V (V
DS
=
10
V，I
D
=
1
毫安）
·
·
·
·
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20千瓦）
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
（注1 ）
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AR
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
450
450
±30
10
40
40
222
10
4
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10R1B
重1.9克（典型值）
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
3.7 mH的，R
G
=
25
W,
I
AR
=
10 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
1
2002-09-04
