数据表
MOS场效应
2SK3454
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
描述
的2SK3454是N沟道MOS FET器件，具有一个
低通态电阻和开关特性优良，
并设计用于高电压应用，如直流/直流
转换器。
订购信息
产品型号
2SK3454
包
隔离TO- 220
特点
-GATE
额定电压
±30
V
ULOW
导通状态电阻
R
DS （ ON）
= 0.63
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 4.0 A)
ULOW
输入电容
C
国际空间站
= 400 pF的典型。 （V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V)
.Built式
栅极保护二极管
隔离
的TO-220封装
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
250
±30
±7.0
±21
2.0
30
150
55
+150
7.0
49
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
Notes1.
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 125 V ，R
G
= 25
, V
GS
= 20 V→0 V
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一号文件D14756EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2001年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2000
