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2N6077
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 275V
I
C
= 7A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
275
7
单位
V
A
-
Hz
@ 1/1.2 (V
CE
/ I
C
)
12
1M
70
45
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
网址:
http://www.semelab.co.uk
产生
1-Aug-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6077 2N6078 2N6079
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
击穿电压
应用
For
水平偏转输出级
电视和CRT年代
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
固电
IN
导½
2N6077
2N6078
2N6079
2N6077
2N6078
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
NG
HA
C
SEM
发射极开路
ND
ICO
条件
UC
价值
300
275
375
275
250
350
单位
V
开基
V
2N6079
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
6
7
45
150
-65~200
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.28
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6077 2N6078 2N6079
条件
典型值。
最大
单位
2N6077
集电极 - 发射极
维持电压
275
V
CEO ( SUS )
2N6078
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
250
V
2N6079
350
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.2
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
2.0
0.1
1.0
mA
I
CEX
集电极截止电流
I
CBO
固电
IN
集电极截止电流
导½
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
直流电流增益
f
T
跃迁频率
SEM
NG
HA
C
V
EB
= 6V ;我
C
=0
ND
ICO
UC
0.1
1.0
12
70
7
mA
mA
I
C
= 1.2A ; V
CE
=1V
I
C
=0.5A;V
CE
=10V;f=1MHz
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6077 2N6078 2N6079
固电
IN
导½
SEM
NG
HA
C
ND
ICO
UC
图2外形尺寸
3
2N6077
尺寸以毫米(英寸) 。
3.68
( 0.145 )弧度。
马克斯。
6.35 (0.250)
8.64 (0.340)
3.61 (0.142)
4.08(0.161)
弧度。
在一个双极NPN器件
密封TO66
金属包装。
11.94 (0.470)
12.70 (0.500)
24.13 (0.95)
24.63 (0.97)
1
14.48 (0.570)
14.99 (0.590)
2
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
双极NPN装置。
V
首席执行官
= 275V
I
C
= 7A
所有Semelab密封产品
可根据被处理
BS , CECC和JAN的要求,
JANTX , JANTXV和JANS规格
4.83 (0.190)
5.33 (0.210)
9.14 (0.360)
分钟。
1.27 (0.050)
1.91 (0.750)
TO66 ( TO213AA )
引脚配置
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
参数
V
首席执行官
*
I
C( CONT )
h
FE
f
t
P
D
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
275
7
单位
V
A
-
Hz
@ 1/1.2 (V
CE
/ I
C
)
12
1M
70
45
W
*最大工作电压
这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表,请联系
sales@semelab.co.uk 。
Semelab Plc的保留改变试验条件,参数限制和封装尺寸,恕不另行通知。提供的信息Semelab信
是既准确又可靠,在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
Semelab PLC 。
电话:+44( 0 ) 1455 556565.传真:+44( 0 ) 1455 552612 。
电子信箱:
sales@semelab.co.uk
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产生
1-Aug-02
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6077 2N6078 2N6079
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极饱和电压
击穿电压
应用
For
水平偏转输出级
电视和CRT年代
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6077
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6078
2N6079
2N6077
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6078
2N6079
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
300
275
375
275
250
350
6
7
45
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.28
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6077 2N6078 2N6079
条件
典型值。
最大
单位
2N6077
集电极 - 发射极
维持电压
275
V
CEO ( SUS )
2N6078
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
250
V
2N6079
350
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.2
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
2.0
0.1
1.0
0.1
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
CBO
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 6V ;我
C
=0
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.2A ; V
CE
=1V
12
70
f
T
跃迁频率
I
C
=0.5A;V
CE
=10V;f=1MHz
7
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6077 2N6078 2N6079
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N6077 2N6078 2N6079
描述
·采用TO- 66封装
·低集电极饱和电压
·高击穿电压
应用
·对于水平偏转输出级
电视和CRT年代
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta =
)
符号
参数
2N6077
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6078
2N6079
2N6077
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6078
2N6079
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
300
275
375
275
250
350
6
7
45
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.28
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6077 2N6078 2N6079
符号
条件
典型值。
最大
单位
2N6077
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
275
V
2N6078
250
2N6079
350
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
I
CEX
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=125
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 1.2A ; V
CE
=1V
I
C
=0.5A;V
CE
=10V;f=1MHz
12
1.0
V
基射极饱和电压
1.2
V
集电极截止电流
2.0
0.1
1.0
0.1
mA
集电极截止电流
mA
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
1.0
mA
直流电流增益
70
跃迁频率
7
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6077 2N6078 2N6079
图2外形尺寸
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 66封装
ULOW
集电极 - 发射极饱和电压
击穿电压
应用
For
水平偏转输出级
电视和CRT年代
钉扎
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
2N6077 2N6078 2N6079
Fig.1简化外形( TO- 66 )和符号
绝对最大额定值(Ta =
℃)
符号
参数
2N6077
V
CBO
集电极 - 基极电压
2N6078
2N6079
2N6077
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
2N6078
2N6079
V
EBO
I
C
P
D
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
275
250
350
300
275
375
6
7
45
150
-65~200
V
A
W
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
价值
4.28
单位
℃/W
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
2N6077 2N6078 2N6079
条件
典型值。
最大
单位
2N6077
集电极 - 发射极
维持电压
275
V
CEO ( SUS )
2N6078
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
250
V
2N6079
350
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.0
V
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
1.2
V
I
首席执行官
集电极截止电流
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE (OFF)的
=1.5V
T
C
=125℃
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
2.0
0.1
1.0
0.1
mA
I
CEX
集电极截止电流
mA
I
CBO
I
EBO
集电极截止电流
mA
发射极截止电流
1.0
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.2A ; V
CE
=1V
12
70
f
T
跃迁频率
I
C
=0.5A;V
CE
=10V;f=1MHz
7
兆赫
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
包装外形
2N6077 2N6078 2N6079
图2外形尺寸
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    2N6077
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息
    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    2N6077
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    2N6077
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息

电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
2N6077
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
2N6077
MINI
2322+
1175
射频微波器件
mini原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息

电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
2N6077
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
2N6077
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
2N6077
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2N6077
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
2N6077
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
2N6077
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9673
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2N6077
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32570
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全新原装正品/质量有保证
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M/A-COM
23+
12556
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