2SK302
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型
2SK302
FM调谐器，甚高频射频放大器的应用
低反向传输电容：C
RSS
= 0.035 PF（典型值）。
低噪声系数： NF = 1.7分贝（典型值）。
高功率增益：摹
ps
= 28分贝（典型值）。
推荐工作电压： 5 15 V
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
漏极功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
20
±5
30
150
125
55~125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
TO-236
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
JEITA
―
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
东芝
2-3F1C
可靠性显著即使工作条件下（即
重0.012克（典型值）
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源电压
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
功率增益
噪声系数
符号
I
GSS
V
DSX
I
DSS
（注）
V
GS （关闭）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
G
PS
NF
测试条件
V
DS
=
0 V, V
GS
= ±5
V
V
GS
= 4
V，I
D
=
100
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
100
μA
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1千赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
V
DS
=
10 V, V
GS
=
0 V,
f
=
100兆赫（图1）
民
20
1.5
典型值。
10
3.0
0.035
28
1.7
最大
±50
14
2.5
0.050
3.0
单位
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
dB
dB
注：我
DSS
分类○： 1.5 3.5 mA，所以Y： 3.0 7.0毫安， GR ： 6.0 14.0毫安
1
2007-11-01
2SK302
L
1
： 1.0mm的镀银铜线4.0 T， 8 mmφ ID TAP在为1.0t从线圈端
L
2
： 1.0mm的镀银铜线3.0 T， 8 mmφ ID ，长度10mm
图1个G
ps
， NF测试电路
记号
2
2007-11-01
