ACT- F4M32A高速128兆位
扇区擦除
闪存多芯片模块
先进
特点
www.aeroflex.com/act1.htm
s
就绪/忙输出（ RY / BY ） - 硬件方法
电路科技
s
在一个8低电压/功率AMD 2M ×8的FLASH模
MCM封装
s
整体配置4M ×32
s
+ 5V电源/ + 5V编程操作
s
100 ， 120和150 ns访问时间
s
擦除/编程周期 - 100000最低（ + 25 ° C）
s
扇区擦除架构（每个模具）
每64千字节32部门制服
q
扇区的任何组合可以被擦除。还
支持整片擦除
q
行业组保护是用户自定义
q
检测编程或擦除周期完成
s
硬件复位引脚 - 复位内部状态机
到读模式
s
擦除挂起/恢复 - 支持阅读或
编程数据到一个部门不被擦除
s
包装 - 密封陶瓷
q
q
68引脚，薄型CQFP （ F1 ） ， 1.56"SQ X .140"max
68引脚，双腔CQFP （ F2 ） ， 0.88"SQ X .20"max
（ 0.18最大厚度可用，请与工厂联系获取详细信息）
（落入68引脚JEDEC .99"SQ CQFJ足迹）
s
嵌入式擦除Algorithims - 自动
s
内部去耦电容的低噪声
预先计划和擦除芯片或任何部门
s
嵌入式程序Algorithims - 自动
在指定地址的程序和数据验证
手术
s
商用，工业和军用温度
范围
s
MIL -PRF- 38534标准提供的MCM
引脚说明
框图 - CQFP （ F1 ）
CE
1
A21
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–21
WE
CE
1-4
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
RESET
就绪/忙
电源
地
没有连接
RESET
WE
A0 - A20
OE
RY / BY
卜FF器
OE
RESET
RY / BY
2Mx8
2Mx8
8
2Mx8
2Mx8
8
2Mx8
2Mx8
8
2Mx8
2Mx8
8
V
CC
GND
NC
I / O
0-7
I / O
8-15
I / O
16-23
I / O
24-31
框图 - CQFP （ F2 ）
I / O
0-7
RESET
WE
A0 - A 20
OE
8
引脚说明
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
8
I / O
0-31
A
0–20
WE
CE
1,2
OE
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
RESET
就绪/忙
电源
地
没有连接
RY / BY
2Mx8
2Mx8
CE1
CE2
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
2Mx8
RESET
RY / BY
V
CC
GND
NC
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD3866 REV 1 98年12月4日
概述
利用AMD的扇区擦除闪速存储器芯片中， ACT- F4M32A是一种高速， 128
兆CMOS闪存多芯片模块（ MCM ）设计的整个温度范围内，军事，
空间，或高可靠性的应用。
在ACT- F4M32A由八个高性能AMD Am29F016 16Mbit的
（ 16777216位）内存芯片。每个芯片包含8个单独写或擦除扇区组
256k位的（A行业组由4个相邻64K字节的每一个扇区） 。
命令寄存器写入通过使WE为逻辑低电平（Ⅴ
IL
） ，而CE是
低， OE为高电平（V
IH
)
。读是由芯片来完成使能（ CE）和输出使能
（OE ）是逻辑上的活性。的为100ns ， 120ns的和150ns的最大存取时间成绩
标准。
在ACT - F4M32A提供两种不同的密封共烧铅68
陶瓷封装。这允许在一个军事环境温度范围内操作
-55 ° C至+ 125°C 。
在ACT- F4M32A可以编程（读取和写入功能）使用系统
在+ 5.0V V
CC
电源。一个12.0V V
PP
不要求进行编程或擦除
操作。编程或擦除的结束是由RY / BY引脚的数据轮询检测
DQ7 ，或者通过切换位（ DQ6 ） 。
在ACT- F4M32A也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，
执行任何嵌入式程序Alggorithm或嵌入式擦除算法会
终止。
每个块可独立擦除和编程100,000次在+ 25 ℃。
有关的Am29F016扇区擦除闪存的操作详细信息
内存，请参阅AMD数据表（ 18805出版） 。
艾法斯电路技术
2
SCD3866 REV 1 98年12月4日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
引脚数&功能
68引脚 - CQFP
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
功能
GND
CE
1
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
RY / BY
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
针＃
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
功能
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
2
针＃
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
功能
OE
CE
4
A
17
A
18
A
19
A
20
A
21
RESET
NC
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
I / O
27
I / O
26
I / O
25
I / O
24
针＃
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
功能
GND
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
I / O
19
I / O
18
I / O
17
I / O
16
V
CC
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
WE
CE
3
请咨询我厂为特殊订单：引脚9 -NC
包装外形 - CQFP "F1"
销1
0.200 REF
9针
引脚61
.140
最大
引脚10
60 PIN
1.575 SQ
最大
1.50
（ 4侧）
26针
引脚44
27针
PIN码43
0.480 MIN
（ 4侧）
.050 ±.005
.015 ±.003
.800
REF
（ 16日.050 4面）
±.002
.060 REF
.010
以英寸所有尺寸
艾法斯电路技术
3
SCD3866 REV 1 98年12月4日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
引脚数&功能
68引脚 - 双腔CQFP
（标准配置）
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
功能
GND
NC
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
RESET
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
针＃
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
功能
GND
I / O
8
I / O
9
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
I / O
15
V
CC
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CE
1
针＃
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
功能
OE
CE
2
A
17
RY / BY
NC
NC
A
18
A
19
A
20
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
I / O
27
I / O
26
I / O
25
I / O
24
针＃
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
功能
GND
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
I / O
19
I / O
18
I / O
17
I / O
16
V
CC
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
WE
NC
请咨询我厂为特殊订单：引脚38 -NC
封装外形 - 双腔CQFP "F2"
顶视图
0.990 SQ
±.010
0.890 SQ
最大
9针
引脚10
引脚61
60 PIN
.015
±.002
* 0.200 MAX
0.010 REF
.010 ±.002
.010 R
REF
+3°/-3°
.050
典型值
26针
27针
0.800 REF
引脚44
PIN码43
详细信息，请参阅“A”
* 0.180 MAX提供，请致电工厂的详细信息
.040
±.005
细节'A'
.010 ±.005
以英寸所有尺寸
艾法斯电路技术
4
SCD3866 REV 1 98年12月4日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
电路科技
订购信息
型号
ACT–F4M32C–100F1C
ACT–F4M32A–100F2C
ACT–F4M32C–100F2C
ACT–F4M32A–100F1C
ACT–F4M32C–100F1I
ACT–F4M32A–100F2I
ACT–F4M32C–100F2I
ACT–F4M32A–100F1I
ACT–F4M32C–100F1M
ACT–F4M32A–100F2M
ACT–F4M32C–100F2M
ACT–F4M32A–100F1M
筛选
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
商用（0 ° C至+ 70 ° C）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
工业级（-40° C至+ 85°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
军用（ -55 ° C至+ 125°C ）
速度
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
100纳秒
包
1.56"sq CQFP
.88"sq CQFP
.88"sq CQFP
1.56"sq CQFP
1.56"sq CQFP
.88"sq CQFP
.88"sq CQFP
1.56"sq CQFP
1.56"sq CQFP
.88"sq CQFP
.88"sq CQFP
1.56"sq CQFP
产品型号明细
ACT- F 4M 32 A- 100 F1 M
艾法斯电路
技术
内存类型
S = SRAM
F = FLASH EEPROM
E = EEPROM
D =动态RAM
存储深度，位置
内存宽度，位
引脚配置选项
F2 - A =一WE ， RY / BY访问的38引脚 - 引脚排列标准
F2 - C = RY / BY内部连接 - 可选的引脚
F1 - A =一WE ， RY / BY接入的引脚9 - 标准引脚
F1 - C = RY / BY内部连接 - 可选的引脚
内存速度， NS （ + 5V V
CC
)
筛选
C =商用温度0 ° C至+ 70°C
I =工业级温度-40 ° C至+ 85°C
T =军用温度， -55 ° C至+ 125°C
M =军用温度， -55 ° C至+ 125°C ，屏蔽
*
Q = MIL - PRF- 38534标准/ SMD （如果适用）
套餐类型&大小
表面贴装封装
F1 = 1.56"SQ 68引脚CQFP
F2 = .88"SQ 68针双腔CQFP
*
筛选，以MIL -STD- 883的单项测试方法
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
艾法斯电路技术
35南服务路
Plainview的纽约11803
www.aeroflex.com/act1.htm
艾法斯电路技术
电话： （ 516 ） 694-6700
传真：
(516) 694-6715
免费电话咨询： （ 800 ） 843-1553
电子邮件： sales-act@aeroflex.com
5
SCD3866 REV 1 98年12月4日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
