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Am29DL16xD
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21533
调整
E
修订
+4
发行日期
2004年5月26日
这页有意留为空白。
Am29DL16xD
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 提供四种器件具有不同大小的银行(参考
表2)
SecSi (安全硅)行业
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球非常超薄细间距BGA
- 48球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容Am29DL16xC设备
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
和擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21533
启:
E
Amendment/+4
发行日期:
2004年5月26日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL16xD系列包括16兆, 3.0
伏只有快闪存储器装置,组织为1048576
也就是说,每行16位或2,097,152字节,每字节8位。
字模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式
数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备被设计为
进行编程的系统内使用的标准3.0伏
V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的以70 , 90时的访问时间,
或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP提供,
48球精细间距BGA , 48球很薄简介
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
标准控制引脚芯片使能( CE # ),写恩
能( WE# ) ,并且输出使能(OE #), - 控制正常
读取和写入操作,并且避免总线竞争
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtos YS TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
读取阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachi EV EDIN - systemorvia
编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
2004年5月26日
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL16xD设备使用多个银行架构设计师用手工
tectures以针对不同的应用提供了灵活性。
四款器件可与这些银行的规模:
设备
DL161
DL162
DL163
DL164
银行1
0.5兆
2 MB
4兆
8兆
2银行
15.5兆
14 MB
12 MB
8兆
Am29DL16xD特点
SecSi
(安全硅)行业是一个额外的节
器能够被永久锁定, AMD或
客户。该
SecSi行业标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
当前版本设备的有64个
千字节;未来的版本将只有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
4
Am29DL16xD
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.......................................... 9
扇区擦除命令序列.............................................. 27
擦除暂停/删除恢复命令................................ 28
图4.擦除操作............................................. ....................... 28
命令定义................................................ ................... 29
表14. Am29DL16xD命令定义.................................... 29
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表1. Am29DL16xD设备总线操作.................................... 12
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 30
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 30
字/字节配置.............................................. ................ 12
对于读阵列数据要求......................................... 12
写命令/命令序列.................................. 13
加快程序运行............................................... 13
自选功能................................................ ................. 13
同时读/写操作零延迟............ 13
待机模式................................................ .............................. 13
自动休眠模式............................................... .................. 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 14
输出禁止模式............................................... .................... 14
表2. Am29DL16xD设备银行部门..................................... 14
顶级引导扇区的设备表3扇区地址...................... 15
表4. SecSi 行业顶级引导设备.................. 15个地址
对于底部引导扇区的设备................. 16表5.扇区地址
表6.对于底部启动设备SecSi 地址........................ 16
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 31
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 31
图6.切换位算法............................................ .................. 31
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 32
表15.写操作状态............................................ ............. 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图7.最大负过冲波形............................. 34
图8.最大正过冲波形............................. 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ...................................... 36
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 36
自选模式................................................ .......................... 17
表7. Am29DL16xD自动选择码, (高压法) ...... 17
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图11.测试设置............................................. ............................. 37
表16.测试规范............................................. ................... 37
部门/部门块保护和unprotection的........................ 18
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
键切换波形.............................................. ........ 37
图12.输入波形和测量水平........................ 37
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图13.读操作时序............................................ .......... 38
图14.复位时序............................................. ......................... 39
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 19
临时机构/部门撤消座................................... 19
图1.临时机构撤消操作................................. 19
图2.在系统部门/部门块保护和
解除保护算法................................................ ........................ 20
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 40
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 40
图16. BYTE #时序写操作.................................. 40
擦除和编程操作.............................................. ..... 41
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.加速程序时序图................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图20.返回到后端的读/写周期时序.............................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
42
42
43
44
44
45
45
SecSi (安全硅)行业闪存地区............ 21
工厂锁定: SecSi部门编程并保护在
工厂................................................. ..................................... 21
客户可锁定: SecSi部门未编程或
保护在工厂.............................................. ............. 21
硬件数据保护............................................... ............. 21
低VCC写禁止.............................................. ................. 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ ...... 22
逻辑禁止................................................ ............................ 22
上电写禁止............................................. ................. 22
临时机构/部门撤消座................................... 46
图24.临时机构/部门撤消座时序图46
图25.行业/部门块保护和撤消时序图47
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 48
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 49
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表10. CFI查询标识字符串........................................... ...
表11.系统接口字符串............................................ .............
表12.设备几何定义............................................ ......
表13.主要供应商特定的扩展查询............................
22
23
23
24
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ....................... 25
复位命令................................................ .......................... 25
自选命令序列............................................... ... 25
进入SecSi 部门/退出SecSi部门命令序列.... 26
字节/字编程命令序列................................... 26
解锁绕道命令序列....................................... 26
图3.程序操作............................................. ................... 27
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装和引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
50
50
50
FBC048-48球细间距球栅阵列
8 ×9 mm封装............................................. ........................... 51
LAA064-64 - ball加固球栅阵列,
13 ×11毫米封装............................................. ....................... 52
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 53
VBF048-48球非常超薄细间距球栅阵列.... 54
芯片擦除命令序列.............................................. ... 27
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2004年5月26日
Am29DL16xD
5
Am29DL16xD
数据表
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与orig-公司的名称
inally开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。今后日常的产品更新会在适当的时候出现,
和变化,都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持“AM”和“ MBM ”开头的现有部件号。要订购
这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
内存解决方案。
公开号
21533
调整
E
修订
+4
发行日期
2004年5月26日
这页有意留为空白。
Am29DL16xD
16兆位(2M ×8位/ 1的M× 16位)
CMOS 3.0伏只,同时操作闪存
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的其他银行
读取和写入操作之间的零延迟
多个银行的体系结构
- 提供四种器件具有不同大小的银行(参考
表2)
SecSi (安全硅)行业
- 当前版本的设备有64个字节;未来
版本将有256个字节
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取,编程,或者
就像其他行业的擦除。一旦锁定,数据
不能改变
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
封装选项
- 48球非常超薄细间距BGA
- 48球精细间距BGA
- 64 - ball加固BGA
- 48引脚TSOP
顶部或底部启动块
在0.23微米制程技术制造的
- 兼容Am29DL16xC设备
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
性能特点
高性能
- 存取时间快70纳秒
- 计划时间: 7微秒/字典型的利用加速功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
每个扇区保证至少1百万次写周期
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程
和擦除,使EEPROM仿真
- 简化扇区擦除限制
支持通用闪存接口( CFI )
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作,使编程
同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
任何部门的结合可以被删除
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读阵列数据
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能可保护2
最外层的引导扇区,无论部门保护状态,
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版#
21533
启:
E
Amendment/+4
发行日期:
2004年5月26日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL16xD系列包括16兆, 3.0
伏只有快闪存储器装置,组织为1048576
也就是说,每行16位或2,097,152字节,每字节8位。
字模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式
数据显示在DQ0 - DQ7 。该设备被设计为
进行编程的系统内使用的标准3.0伏
V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该设备是可用的以70 , 90时的访问时间,
或120纳秒。该器件采用48引脚TSOP提供,
48球精细间距BGA , 48球很薄简介
细间距BGA和64 - ball加固BGA封装。
标准控制引脚芯片使能( CE # ),写恩
能( WE# ) ,并且输出使能(OE #), - 控制正常
读取和写入操作,并且避免总线竞争
问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtos YS TE mswhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
读取阵列的数据。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachi EV EDIN - systemorvia
编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
2004年5月26日
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克或立即删除在一家银行,然后和
从其他银行的同时读取,零LA-
tency 。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该Am29DL16xD设备使用多个银行架构设计师用手工
tectures以针对不同的应用提供了灵活性。
四款器件可与这些银行的规模:
设备
DL161
DL162
DL163
DL164
银行1
0.5兆
2 MB
4兆
8兆
2银行
15.5兆
14 MB
12 MB
8兆
Am29DL16xD特点
SecSi
(安全硅)行业是一个额外的节
器能够被永久锁定, AMD或
客户。该
SecSi行业标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
当前版本设备的有64个
千字节;未来的版本将只有256个字节。
这应该系统设计时加以考虑。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
4
Am29DL16xD
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
特殊包装处理说明.......................................... 9
扇区擦除命令序列.............................................. 27
擦除暂停/删除恢复命令................................ 28
图4.擦除操作............................................. ....................... 28
命令定义................................................ ................... 29
表14. Am29DL16xD命令定义.................................... 29
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
逻辑符号。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
表1. Am29DL16xD设备总线操作.................................... 12
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。三十
DQ7 :数据#投票............................................. ......................... 30
图5.数据#轮询算法........................................... .............. 30
字/字节配置.............................................. ................ 12
对于读阵列数据要求......................................... 12
写命令/命令序列.................................. 13
加快程序运行............................................... 13
自选功能................................................ ................. 13
同时读/写操作零延迟............ 13
待机模式................................................ .............................. 13
自动休眠模式............................................... .................. 13
RESET # :硬件复位引脚............................................ ......... 14
输出禁止模式............................................... .................... 14
表2. Am29DL16xD设备银行部门..................................... 14
顶级引导扇区的设备表3扇区地址...................... 15
表4. SecSi 行业顶级引导设备.................. 15个地址
对于底部引导扇区的设备................. 16表5.扇区地址
表6.对于底部启动设备SecSi 地址........................ 16
RY / BY # :就绪/忙# ......................................... ........................ 31
DQ6 :切换位I ............................................. ............................. 31
图6.切换位算法............................................ .................. 31
DQ2 :触发位II ............................................. ............................ 32
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ........ 32
DQ5 :超过时序限制............................................. ......... 32
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. ................ 32
表15.写操作状态............................................ ............. 33
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图7.最大负过冲波形............................. 34
图8.最大正过冲波形............................. 34
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 35
图9.我
CC1
电流与时间(显示主动和自动
休眠电流) .............................. ...................................... 36
图10.典型I
CC1
与频率............................................... .... 36
自选模式................................................ .......................... 17
表7. Am29DL16xD自动选择码, (高压法) ...... 17
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
图11.测试设置............................................. ............................. 37
表16.测试规范............................................. ................... 37
部门/部门块保护和unprotection的........................ 18
表8.前引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
表9.底部引导扇区/扇区块地址
为保护/ unprotection的.............................................. ..................... 18
键切换波形.............................................. ........ 37
图12.输入波形和测量水平........................ 37
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 38
图13.读操作时序............................................ .......... 38
图14.复位时序............................................. ......................... 39
写保护( WP # ) ............................................ ......................... 19
临时机构/部门撤消座................................... 19
图1.临时机构撤消操作................................. 19
图2.在系统部门/部门块保护和
解除保护算法................................................ ........................ 20
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... ..... 40
图15. BYTE #时序进行读操作.................................. 40
图16. BYTE #时序写操作.................................. 40
擦除和编程操作.............................................. ..... 41
图17.程序操作时序............................................ ....
图18.加速程序时序图................................
图19.芯片/扇区擦除操作时序.................................
图20.返回到后端的读/写周期时序.............................
图21.数据#投票计时(在嵌入式算法) .......
图22.触发位计时(在嵌入式算法) ............
图23. DQ2与DQ6 ........................................... ............................
42
42
43
44
44
45
45
SecSi (安全硅)行业闪存地区............ 21
工厂锁定: SecSi部门编程并保护在
工厂................................................. ..................................... 21
客户可锁定: SecSi部门未编程或
保护在工厂.............................................. ............. 21
硬件数据保护............................................... ............. 21
低VCC写禁止.............................................. ................. 22
写脉冲“毛刺”保护............................................ ...... 22
逻辑禁止................................................ ............................ 22
上电写禁止............................................. ................. 22
临时机构/部门撤消座................................... 46
图24.临时机构/部门撤消座时序图46
图25.行业/部门块保护和撤消时序图47
备用CE #控制的擦除和编程操作........... 48
图26.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ ................................ 49
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 22
表10. CFI查询标识字符串........................................... ...
表11.系统接口字符串............................................ .............
表12.设备几何定义............................................ ......
表13.主要供应商特定的扩展查询............................
22
23
23
24
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25
读阵列数据............................................... ....................... 25
复位命令................................................ .......................... 25
自选命令序列............................................... ... 25
进入SecSi 部门/退出SecSi部门命令序列.... 26
字节/字编程命令序列................................... 26
解锁绕道命令序列....................................... 26
图3.程序操作............................................. ................... 27
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
封装和引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
50
50
50
50
FBC048-48球细间距球栅阵列
8 ×9 mm封装............................................. ........................... 51
LAA064-64 - ball加固球栅阵列,
13 ×11毫米封装............................................. ....................... 52
TS 048-48针标准TSOP .......................................... ....... 53
VBF048-48球非常超薄细间距球栅阵列.... 54
芯片擦除命令序列.............................................. ... 27
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55
2004年5月26日
Am29DL16xD
5
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