K6X1008T2D家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
数据稿
2002年7月15日
备注
初步
0.1
修订
- 删除的32 TSOP1-0820R ， 32 TSOP1-0813.4F / R封装类型。
- 增加商业产品。
- 增加了55ns的产品（VCC = 3.0V 3.6V ）
修订
- 增加了无铅32 - SOP- 525产品
- 增加了无铅32 TSOP1-0820F产品
敲定
- 改变了我
CC
从3毫安至2mA
- 改变了我
CC
2 ，从25毫安至20mA
- 改变了我
SB
1
（商业）
从10μA至6μA
- 改变了我
SB
1
（工业级）
从10μA至6μA
- 改变了我
SB
1
（汽车）
从20μA至10μA
- 改变了我
DR
（商业）
从10μA至6μA
- 改变了我
DR
（工业级）
从10μA至6μA
- 改变了我
DR
（汽车）
从20μA至10μA
2002年12月4日
初步
0.2
2003年6月23日
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 128K ×8
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F
32 SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F
CMOS SRAM
概述
该K6X1008T2D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
verious的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
128Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机工作
(I
SB1
马克斯） （我
CC2,
MAX ）
6A
20mA
70
2)
/85ns
10A
PKG型
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
Commercial(0~70°C)
55
1)
/70
2)
/85ns
Industrial(-40~85°C)
Automotive(-40~125°C)
2.7~3.6V
32-SOP-525
32-TSOP1-0820F
32-SOP-525
32-TSOP1-0820F
1.该参数测量中的3.0V 3.6V用30pF的测试负载的电压范围。
2.该参数测量30pF的测试负载。
引脚说明
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
Type1-Forward
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
名字
A
0
~A
16
WE
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X1008T2D-GB55
1)
K6X1008T2D-GB70
K6X1008T2D-GB85
K6X1008T2D-TB55
1)
K6X1008T2D-TB70
K6X1008T2D-TB85
K6X1008T2D-BB55
1,2)
K6X1008T2D-BB70
2)
K6X1008T2D-BB85
2)
K6X1008T2D-PB55
1,2)
K6X1008T2D-PB70
2)
K6X1008T2D-PB85
2)
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X1008T2D-GF55
1)
K6X1008T2D-GF70
K6X1008T2D-GF85
K6X1008T2D-TF55
1)
K6X1008T2D-TF70
K6X1008T2D-TF85
K6X1008T2D-BF55
1,2)
K6X1008T2D-BF70
2)
K6X1008T2D-BF85
2)
K6X1008T2D-PF55
1,2)
K6X1008T2D-PF70
2)
K6X1008T2D-PF85
2)
Atomotive产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X1008T2D-GQ70
K6X1008T2D-GQ85
K6X1008T2D-TQ70
K6X1008T2D-TQ85
功能
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
功能
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
功能
32 - SOP ，为70ns ，L
32 - SOP ， 85ns ，L
32 TSOP -F ，为70ns ，L
32 TSOP -F ， 85ns ，L
1.工作电压范围为3.0V 3.6V
2.无铅产品
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+ 0.3V （最大3.9V ）
-0.2 3.9
1.0
-65到150
0到70
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0/3.3
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.6
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
。工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
A
utomotive产品：T已
A
= -40 125 ℃，另外指定
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
测试条件
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
2
3
20
0.4
-
0.3
6
6
10
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
A
4
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
(V
CC
= 2.7 3.6V ，商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车电子产品：T已
A
= -40 125 ℃的
)
速箱
参数表
符号
55ns
1
)
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
20
0
5
最大
-
55
55
25
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
25
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
85
-
-
-
10
5
0
0
15
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.电压范围为3.0V 3.6V的商业和工业产品。
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
K6X1008T2D-B
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
0
5
-
-
测试条件
民
2.0
-
-
典型值
-
-
-
最大
3.6
6
6
10
-
-
单位
V
A
A
A
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
5
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
数据稿
2002年7月15日
备注
初步
0.1
修订
- 删除的32 TSOP1-0820R ， 32 TSOP1-0813.4F / R封装类型。
- 增加商业产品。
- 增加了55ns的产品（VCC = 3.0V 3.6V ）
修订
- 增加了无铅32 - SOP- 525产品
- 增加了无铅32 TSOP1-0820F产品
敲定
- 改变了我
CC
从3毫安至2mA
- 改变了我
CC
2 ，从25毫安至20mA
- 改变了我
SB
1
（商业）
从10μA至6μA
- 改变了我
SB
1
（工业级）
从10μA至6μA
- 改变了我
SB
1
（汽车）
从20μA至10μA
- 改变了我
DR
（商业）
从10μA至6μA
- 改变了我
DR
（工业级）
从10μA至6μA
- 改变了我
DR
（汽车）
从20μA至10μA
2002年12月4日
初步
0.2
2003年6月23日
初步
1.0
2003年9月16日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 128K ×8
电源电压： 2.7 3.6V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F
32 SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F
CMOS SRAM
概述
该K6X1008T2D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
verious的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
128Kx8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
产品系列
功耗
产品系列工作温度范围的Vcc
速度
待机工作
(I
SB1
马克斯） （我
CC2,
MAX ）
6A
20mA
70
2)
/85ns
10A
PKG型
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
Commercial(0~70°C)
55
1)
/70
2)
/85ns
Industrial(-40~85°C)
Automotive(-40~125°C)
2.7~3.6V
32-SOP-525
32-TSOP1-0820F
32-SOP-525
32-TSOP1-0820F
1.该参数测量中的3.0V 3.6V用30pF的测试负载的电压范围。
2.该参数测量30pF的测试负载。
引脚说明
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
A15
CS2
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A11
A9
A8
A13
WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
ROW
地址
ROW
SELECT
存储阵列
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
Type1-Forward
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
列地址
名字
A
0
~A
16
WE
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
地址输入
写使能输入
片选输入
输出使能输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
2003年9月
K6X1008T2D家庭
产品列表
商用产品（ 0 70 ° C）
部件名称
K6X1008T2D-GB55
1)
K6X1008T2D-GB70
K6X1008T2D-GB85
K6X1008T2D-TB55
1)
K6X1008T2D-TB70
K6X1008T2D-TB85
K6X1008T2D-BB55
1,2)
K6X1008T2D-BB70
2)
K6X1008T2D-BB85
2)
K6X1008T2D-PB55
1,2)
K6X1008T2D-PB70
2)
K6X1008T2D-PB85
2)
CMOS SRAM
工业产品（ -40 85°C ）
部件名称
K6X1008T2D-GF55
1)
K6X1008T2D-GF70
K6X1008T2D-GF85
K6X1008T2D-TF55
1)
K6X1008T2D-TF70
K6X1008T2D-TF85
K6X1008T2D-BF55
1,2)
K6X1008T2D-BF70
2)
K6X1008T2D-BF85
2)
K6X1008T2D-PF55
1,2)
K6X1008T2D-PF70
2)
K6X1008T2D-PF85
2)
Atomotive产品（ -40 125°C ）
部件名称
K6X1008T2D-GQ70
K6X1008T2D-GQ85
K6X1008T2D-TQ70
K6X1008T2D-TQ85
功能
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
功能
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
32 - SOP ， 55ns ， LL
32 - SOP ，为70ns ， LL
32 - SOP ， 85ns ， LL
32 TSOP -F ， 55ns ， LL
32 TSOP -F ，为70ns ， LL
32 TSOP -F ， 85ns ， LL
功能
32 - SOP ，为70ns ，L
32 - SOP ， 85ns ，L
32 TSOP -F ，为70ns ，L
32 TSOP -F ， 85ns ，L
1.工作电压范围为3.0V 3.6V
2.无铅产品
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CC
+ 0.3V （最大3.9V ）
-0.2 3.9
1.0
-65到150
0到70
-40到85
-40至125
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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K6X1008T2D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.0/3.3
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.6
0
Vcc+0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
。工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
A
utomotive产品：T已
A
= -40 125 ℃，另外指定
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V 。
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的。
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
K6X1008T2D-B
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
测试条件
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
2
3
20
0.4
-
0.3
6
6
10
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
A
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K6X1008T2D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
(V
CC
= 2.7 3.6V ，商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，工业产品：T已
A
= -40到85°C ，汽车电子产品：T已
A
= -40 125 ℃的
)
速箱
参数表
符号
55ns
1
)
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
20
0
5
最大
-
55
55
25
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
25
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
85
-
-
-
10
5
0
0
15
85
70
0
70
60
0
0
35
0
5
85ns
最大
-
85
85
40
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.电压范围为3.0V 3.6V的商业和工业产品。
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
DR
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
K6X1008T2D-B
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
K6X1008T2D-F
K6X1008T2D-Q
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
0
5
-
-
测试条件
民
2.0
-
-
典型值
-
-
-
最大
3.6
6
6
10
-
-
单位
V
A
A
A
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V
,
CS
2
≥V
CC
-0.2V ，或CS
2
≤0.2V
5
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2003年9月
