KM684000B家庭
文档标题
512Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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0.1
历史
最初的草案
修改
- 改变工作由光罩改版电流
I
CC
在写： 35毫安
→
45mA
I
CC1
在读/写： 15 / 35毫安
→
10/45mA
敲定
- 改变工作电流
I
CC1
在写： 45毫安
→
40mA
I
CC
2 ; 90毫安
→
80mA
- 改变试验载荷在55ns ： 100pF的
→
50pF
修改
- 更改数据表格式
修改
- 工业生产速度斌变化： 70 / 100纳秒
→
55/70ns
草案日期
1996年12月7日
1997年3月6日
备注
ADVANCE
初步
1.0
1997年10月9日
最终科幻
2.0
1998年2月17日
最终科幻
3.0
1998年9月8日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
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1998年9月
KM684000B家庭
512Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 512Kx8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525
32-TSOP2-400F/R
CMOS SRAM
概述
该KM684000B家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和各种包
类型系统设计的用户灵活性。该系列还
支持低数据保持电压为电池后备能操作
通报BULLETIN低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
100A
20A
4.5~5.5V
Inderstrial （ -40 85°C ）
55
1)
/70ns
100A
50A
80mA
32-SOP
32-TSOP2-F/R
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
KM684000BL
KM684000BL-L
KM684000BLI
KM684000BLI-L
商业级（0 70 ° C）
32-DIP,32-SOP
32-TSOP2-F/R
1.参数的测量条件为50pF的测试负载。
引脚说明
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
功能框图
CLK GEN 。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I / O
1
I / O
8
A18
A16
A14
A12
A7
预充电电路。
32-DIP
32-SOP
32-TSOP2
（向前）
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP2
（反转）
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A6
A5
A4
A1
A0
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
512 × 8列
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
引脚名称
WE
CS
OE
A
0
~A
18
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
功能
写使能输入
片选输入
输出使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
CS
WE
OE
A9 A8 A13A17 A15 A10 A11 A3 A2
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
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修订版3.0
1998年9月
KM684000B家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
KM684000BLP-5
KM684000BLP-5L
KM684000BLP-7
KM684000BLP-7L
KM684000BLG-5
KM684000BLG-5L
KM684000BLG-7
KM684000BLG-7L
KM684000BLT-5L
KM684000BLT-7L
KM684000BLR-5L
KM684000BLR-7L
功能
32 - DIP ， 55ns ， L- PWR
32 - DIP ， 55ns ， LL- PWR
32 - DIP ，为70ns ， L- PWR
32 - DIP ，为70ns ， LL- PWR
32 SOP， 55ns ，L-压水堆
32 - SOP ， 55ns ， LL- PWR
32 SOP，为70ns ，L-压水堆
32 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -F ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -F ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -R ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -R ，为70ns ， LL- PWR
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
KM684000BLGI-5
KM684000BLGI-5L
KM684000BLGI-7
KM684000BLGI-7L
KM684000BLTI-5L
KM684000BLTI-7L
KM684000BLRI-5L
KM684000BLRI-7L
功能
32 SOP， 55ns ，L-压水堆
32 - SOP ， 55ns ， LL- PWR
32 SOP，为70ns ，L-压水堆
32 - SOP ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -F ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -F ，为70ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -R ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP2 -R ，为70ns ， LL- PWR
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出disbaled
读
写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是在低温或高温状态。 ）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
KM684000BL/L-L
KM684000BLI/LI-L
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
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1998年9月
KM684000B家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
3.冲： -3.0V的情况下脉冲宽度的
≤
30ns
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
IL
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA
CS≤0.2V ，V
IN
≥0.2V
或V
IN
≥
Vcc-0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
测试条件
民
-1
-1
-
读
写
-
-
-
-
2.4
-
KM684000BL
-
-
-
-
典型值
-
-
7.5
4
27
65
-
-
-
2
1
2
1
最大
1
1
15
10
40
80
0.4
-
3
100
20
100
50
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
A
A
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IL
或V
IH
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
KM684000BL-L
KM684000BLI
KM684000BLI-L
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KM684000B家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ VCC = 4.5 5.5V ， KM684000B系列：T已
A
= 0 70 ° C， KM684000BI系列：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
55*ns
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
符号
V
DR
CS≥Vcc-0.2V
测试条件
KM684000BL
民
2.0
-
-
-
-
0
5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
最大
5.5
50
15
50
20
-
-
单位
V
数据保持电流
I
DR
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
KM684000BL-L
KM684000BLI
KM684000BLI-L
A
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
看到数据保存波形
ms
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修订版3.0
1998年9月
