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半导体
技术参数
概述
KHB9D5N20P1/F1/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB9D5N20P1
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
DIM毫米
_
9.9 + 0.2
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性,如快速
开关时间,低导通电阻,低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
特点
V
DSS
= 200V ,我
D
=9.5A
漏源导通电阻
: R
DS ( ON)
=400m
Qg(typ.)=18.5nC
@V
GS
= 10V
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
TO-220AB
最大额定值(TC = 25
)
等级
A
F
KHB9D5N20F1
C
特征
符号
KHB9D5N20P1
KHB9D5N20F1单位
KHB9D5N20F2
E
O
暗淡
B
MILLIMETERS
漏源电压
栅源电压
漏电流
@T
C
=25
脉冲(注1)
单脉冲雪崩能量
(注2 )
重复性雪崩能量
(注1 )
峰值二极管恢复的dv / dt
(注3)
耗电
耗散
Tc=25
减额above25
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
87
P
D
0.7
T
j
T
英镑
9.5
38
200
30
9.5*
V
V
A
38*
K
L
M
J
R
180
8.7
5.5
40
0.32
150
-55 150
mJ
mJ
Q
D
N
N
H
V / ns的
W
W/
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
G
1.门
2.漏
3.源
TO- 220IS (1)
KHB9D5N20F2
A
F
C
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻,结到外壳
热阻,结点到
环境
S
P
R
thJA
62.5
62.5
/W
K
L
L
R
G
B
R
thJC
1.44
3.13
/W
E
暗淡
MILLIMETERS
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
Q
J
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 5. 10
版本号: 0
1/7
KHB9D5N20P1/F1/F2
电气特性( TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
栅极阈值电压
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
V
th
I
DSS
I
GSS
R
DS ( ON)
g
FS
I
D
= 250 A,V
GS
=0V
I
D
= 250 A,参考25
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
DS
=200V, V
GS
=0V,
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
D
=4.75A
V
DS
= 40V ,我
D
=4.75A
(Note4)
200
-
2.0
-
-
-
-
-
0.19
-
-
-
345
6.7
-
-
4.0
1
100
400
-
V
V/
V
A
nA
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
& LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 9.5A ,V
GS
=0V
I
S
= 9.5A ,V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
(注4 )
-
-
-
-
-
-
130
0.6
38
1.5
-
-
V
ns
C
-
-
9.5
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V , F = 1.0MHz的
V
DD
= 100V ,R
G
=25
I
D
=9.5A
(注4 , 5 )
V
DS
= 160V ,我
D
=9.5A
V
GS
=10V
(注4 , 5 )
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
18.5
2.7
9
11
62
46
80
387
96
34
23
-
-
32
135
ns
102
170
503
125
45
pF
nC
注1 ) Repetivity的评价:脉冲宽度有限的结温。
注2 ) L = 3MH ,我
AS
= 9.5A ,V
DD
= 50V ,R
G
= 25 ,起始物为
j
=25
注3 )I
S
9.5A , di / dt的
300A/
, V
DD
300
注4 )脉冲测试:脉冲宽度
,占空比
2%.
.
BV
DSS
,起始物为
j
=25 .
注5 )基本上是独立的工作温度。
2007. 5. 10
版本号: 0
2/7
KHB9D5N20P1/F1/F2
Fig1 。我
D
- V
DS
V
GS
TOP : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
1
10
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
底部: 5.0 V
Fig2 。我
D
- V
GS
V
DS
= 40V
250μs的脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
1
10
0
150
C
10
0
25
C
-55
C
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
图四。 BV
DSS
- T
j
归一化的击穿电压BV
DSS
1.2
Fig5 。
DS ( ON)
- I
D
2.0
ON - 电阻r
DS ( ON)
()
V
GS
= 0V
I
DS
= 250A
1.1
1.5
1.0
1.0
V
GS
= 10V
0.9
0.5
V
GS
= 20V
0.8
-100
0
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
结温度T
j
( C)
漏电流I
D
(A)
Fig6 。我
S
- V
SD
3.0
Fig6 。
DS ( ON)
- T
j
V
GS
= 10V
I
DS
= 5A
反向漏电流I
S
(A)
10
1
归一化导通电阻
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温度T
j
( C)
2007. 5. 10
版本号: 0
3/7
KHB9D5N20P1/F1/F2
Fig7 。 - V
DS
2500
频率= 1MHz的
Fig8 。 Q
g
- V
GS
12
I = 9.5A
D
栅 - 源电压V
GS
(V)
2000
10
8
6
4
2
0
0
5
电容(pF)
C
国际空间站
V
DS
= 50V
V
DS
= 125V
V
DS
= 200V
1500
C
OSS
C
RSS
1000
500
0
10
-1
10
0
10
1
10
15
20
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg ( NC)
Fig9 。安全工作区
(KHB9D5N20P1)
10
2
Fig10 。安全工作区
( KHB9D5N20F1 , KHB9D5N20F2 )
10
2
操作在此
区由R限于
DS ( ON)
操作在此
区由R限于
DS ( ON)
漏极电流ID ( A)
漏极电流ID ( A)
10
1
100s
10
1
100
s
1毫秒
1ms
10
0
T
C
= 25 C
T
j
= 150 C
单一不重复的脉冲
10ms
100ms
DC
10
0
T
C
= 25 C
T
j
= 150 C
-1
单一不重复的脉冲
10毫秒
100毫秒
DC
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
10
0
10
1
10
2
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig11 。我
D
- T
j
12
10
漏电流I
D
(A)
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj ( C)
2007. 5. 10
版本号: 0
4/7
KHB9D5N20P1/F1/F2
Fig12 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
P
DM
0.1
0.05
t
1
t
2
0.02
0.01
单脉冲
- 占空比,D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间(秒)
Fig13 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
10
-1
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
0.05
0.02
0.01
- 占空比,D = T
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
时间(秒)
2007. 5. 10
版本号: 0
5/7
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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    KHB9D5N20F2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    KHB9D5N20F2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    KHB9D5N20F2
    -
    -
    -
    -
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