晶体管 SI1404BDH-T1-E3 半导体产品

晶体管 SI1404BDH-T1-E3 半导体产品属性

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晶体管 SI1404BDH-T1-E3 半导体产品描述

SI1404BDH-T1-E3介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
制造商标准提前期 13 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 1.9A（Ta），2.37A（Tc） 1.32W（Ta），2.28W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET®
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.9A（Ta），2.37A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 238 毫欧 @ 1.9A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 100pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.32W（Ta），2.28W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SC-70-6（SOT-363）
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

威世随后采取了一些较小规模的对无源元件制造厂商的收购。 在2000年收购了伊莱克芬(Electro-Films)、思拉麦特(Cera-Mite)和思伯乔(Spectrol)，在2001年收购了铨斯特(Tansitor)和北美电容器公司(马洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。

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