晶体管 STD2HNK60Z-1 MOSFET - 单

晶体管 STD2HNK60Z-1 MOSFET - 单属性

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晶体管 STD2HNK60Z-1 MOSFET - 单描述

STD2HNK60Z-1介绍：
描述 MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
详细描述 通孔 N 沟道 600V 2A（Tc） 45W（Tc） I-PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMicroelectronics
系列 SuperMESH™
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.8 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 280pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
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MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

意法半导体将与IBM联盟合作开发下一代制造工艺，包括32nm 和 22nm CMOS工艺开发、设计实现技术和针对300mm晶圆制造的先进研究，此外，意法半导体和IBM还将利用位于法国Crolles的300mm生产设施开发高附加值的CMOS衍生系统级芯片技术。

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