圆片级栅氧的可靠性评价技术
发布时间:2016/6/27 21:58:15 访问次数:657
随着超大规模集成电路线宽的不断缩小,栅氧化层变得越来越薄,而电源电压却不能按比例下降。BP1361栅氧化层工作在较高的电场强度下,使栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。栅极氧化层的抗电性能不好将引起MOs器件电参数的不稳定,进一步可引起栅氧化层的漏电和击穿。
评价栅氧化层可靠性的结构一般都是MOs电容。评价栅氧化层不同位置的特性,需要设计不同的结构,主要有3种结构:大面积MOs电容、多晶硅树状电容、有源区树状电容等。评价氧化膜的方法主要有斜坡电压法、斜坡电流法、恒定电压法及恒定电流法(用的相对较少)。本节内容仅介绍斜坡电压和斜坡电流的栅氧可靠性评价。
随着超大规模集成电路线宽的不断缩小,栅氧化层变得越来越薄,而电源电压却不能按比例下降。BP1361栅氧化层工作在较高的电场强度下,使栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题。栅极氧化层的抗电性能不好将引起MOs器件电参数的不稳定,进一步可引起栅氧化层的漏电和击穿。
评价栅氧化层可靠性的结构一般都是MOs电容。评价栅氧化层不同位置的特性,需要设计不同的结构,主要有3种结构:大面积MOs电容、多晶硅树状电容、有源区树状电容等。评价氧化膜的方法主要有斜坡电压法、斜坡电流法、恒定电压法及恒定电流法(用的相对较少)。本节内容仅介绍斜坡电压和斜坡电流的栅氧可靠性评价。
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