然而，受限于国外专利以及设计水平等因素，国产滤波器的份额相当低。在模块集成化的趋势下，国内射频巨头在布局和生产滤波器。声学滤波器可分为声表面滤波器和体声波滤波器，其中声表面滤波器可根据适用的频率细分为SAW、TC-SAW和IHP-SAW。

体声波滤波器适用于较高的频段，可细分为BAW、FBAR、XBAR等。无论是SAW(Surface Acoustic Wave filter)还是BAW(Bulk Acoustic Wave Filter)，均是在晶圆级封测后以倒装芯片的工艺贴装在模组上。在晶圆级封装工艺中，Bump制造是相当重要的一道工序，将浅谈滤波器晶圆级封装(Wafer Level package)中Bump制造的关键点。

当前业内常见的几种SAW filter Wafer Bumping工艺如下：

通过打线工艺在晶圆的UBM(Under Bump Metal)上植金球。

通过钢网印刷工艺在UBM上印刷锡膏，再经过回流焊成球。

先在晶圆的UBM上印刷助焊剂，将锡球放到UBM上，再经过回流焊完成植球。

通过对印刷锡膏方案的剖析发现，在Bumping工艺中Bump的高度和共面度(同一颗芯片上Bump高度最大值最小值之差，差值越低越好)是最重要的关键指标。从钢网的工艺和设计、锡膏的特性等方面进行分析。

高的功率密度和转换效率主要得益于设计中使用了TO-220封装的功率管。目前，业界只有Transphorm提供这种封装形式的高压氮化镓器件。电源适配器以及所有通用交直流电源的低压线路（即90Vac）具有高电流，需要并联两个PQFN封装（常见于增强型氮化镓器件）的功率管，以达到所要求的功率输出——使用这种方法，器件数量翻倍，降低了电源的功率密度。Transphorm的TO-220封装有效解决了这一问题，以更低的成本实现卓越的功率密度，这是目前增强型氮化镓器件无法做到的。

其它规格及特点还包括：可运行于90至264Vac的宽输入电压下峰值效率超过96%，不同电路及负载下效率曲线平坦精准的开关频率调节，提高输入EMI滤波器的利用率超过180kHz的开关频率，适用于紧凑型设计。

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