STB10N95K5描述
STB10N95K5这款N-沟道稳压保护功率MOSFETs采用ST革命性的耐雪崩、超高压SuperMESH™ 5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此，在要求高功率密度和高效率的应用中，导通电阻显著降低，并具有极低的栅极电荷。
STB10N95K5特性
全球出色的品质因数（FoM）
极低的栅极电荷
经过100％雪崩测试
稳压保护
产品属性 属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 950 V
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 800 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 22 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 130 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
系列: STB10N95K5
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 51 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 4 g
VIPER12ASTR-E
LIS2DW12TR
LIS2DE12TR
LIS2DS12TR
LIS2DHTR
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LIS2DTW12TR
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STL150N3LLH6
VNQ7040AYTR
L6562ADTR
L6699DTR
LSM6DS3TR-C
M41T11M6F
STB10N95K5
