STB120NF10T4说明
STB120NF10T4功率MOSFET是使用STMicroelectronics独特的STripFET工艺开发的，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得STB120NF10T4适用于高级高效隔离DC-DC转换器中的初级开关，用于电信和计算机应用，以及具有低栅极电荷驱动要求的应用。
STB120NF10T4特性
卓越的dv/dt能力
100%雪崩测试
闸门充电低
产品属性 属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 172 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 312 W
通道模式: Enhancement
系列: STB120NF10
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 68 ns
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 132 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 9.35 mm
单位重量: 4 g
VIPER12ASTR-E
LIS2DW12TR
LIS2DE12TR
LIS2DS12TR
LIS2DHTR
LIS2DH12TR
LIS2DTW12TR
LIS2DW12TR
LIS2HH12TR
LIS2MDLTR
LIS3DHTR
LIS3DSHTR
LIS3MDLTR
LIS344ALHTR
LIS331DLHTR
LIS25BATR
STL150N3LLH6
VNQ7040AYTR
L6562ADTR
L6699DTR
LSM6DS3TR-C
M41T11M6F
STB10N95K5
STB10NK60ZT4
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB100N6F7
STB120N4F6
STB120NF10T4
