STB11NK50ZT4 ST意法半导体NMOS 500V 10A 125W
STB11NK50ZT4特性
极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
STB11NK50ZT4应用
开关
STB11NK50ZT4说明
STB11NK50ZT4为SuperMESH™系列是通过对ST公司成熟的带状PowerMESH™布局进行极端优化而获得的。除了大大降低导通电阻外，还特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。
产品属性 属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 10 A
Rds On-漏源导通电阻: 480 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
系列: STB11NK50Z
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 77 S
高度: 4.6 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 14.5 ns
宽度: 9.35 mm
单位重量: 4 g
VIPER12ASTR-E
LIS2DW12TR
LIS2DE12TR
LIS2DS12TR
LIS2DHTR
LIS2DH12TR
LIS2DTW12TR
LIS2DW12TR
LIS2HH12TR
LIS2MDLTR
LIS3DHTR
LIS3DSHTR
LIS3MDLTR
LIS344ALHTR
LIS331DLHTR
LIS25BATR
STL150N3LLH6
VNQ7040AYTR
L6562ADTR
L6699DTR
LSM6DS3TR-C
M41T11M6F
STB10N95K5
STB10NK60ZT4
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
