STB100N6F7说明
这种N沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强的沟槽栅极结构，导致非常低的导通态电阻，同时还减少了内部电容和栅极电荷，以实现更快和更高效的开关。
STB100N6F7特性
低Rds（on）
抗电磁干扰
雪崩强度高
产品属性 属性值
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 5.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 30 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商标名: STripFET
系列: STB100N6F7
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 15 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 55.5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 28.6 ns
典型接通延迟时间: 21.6 ns
单位重量: 4 g
VIPER12ASTR-E
LIS2DW12TR
LIS2DE12TR
LIS2DS12TR
LIS2DHTR
LIS2DH12TR
LIS2DTW12TR
LIS2DW12TR
LIS2HH12TR
LIS2MDLTR
LIS3DHTR
LIS3DSHTR
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LIS344ALHTR
LIS331DLHTR
LIS25BATR
STL150N3LLH6
VNQ7040AYTR
L6562ADTR
L6699DTR
LSM6DS3TR-C
M41T11M6F
STB10N95K5
STB10NK60ZT4
STB11NK40ZT4
STB11NK50ZT4
STB100N6F7
