3 V / 5 V CMOS
0.5 Ω SPDT / 2 ： 1多路复用器，SC70封装
ADG849
特点
超低导通电阻：
0.5 Ω典型
0.8 Ω最大为5 V电源
卓越的音频性能，超低失真：
0.13 Ω典型
0.24 Ω最大R
ON
平整度
高载流能力：
400毫安连续电流
600毫安峰值电流在5 V
汽车级温度范围： -40 ° C至+ 125°C
轨到轨工作
典型功耗（ <0.01 μW ）
引脚兼容的升级为ADG749和ADG779
功能框图
ADG849
S2
D
S1
IN
开关所
对于逻辑1输入
04737-0-001
图1 。
应用
手机
掌上电脑
电池供电系统
音频和视频信号路由
调制解调器
PCMCIA卡
硬盘驱动器
继电器更换
概述
该ADG849是一款单芯片， CMOS SPDT （单刀双
掷）开关，采用1.8 V至5.5 V的电源范围内工作
它被设计成提供了典型的超低导通电阻的值
0.5 Ω 。这样的设计使得ADG849的理想解决方案
应用程序需要通过开关最小失真。
该ADG849也有随身携带大量的能力
目前，通常为600 mA的5 V工作电压。
该ADG849的各开关导电性能相同，在两个
方向时。该器件具有突破前先
开关动作，从而防止瞬间短路时
切换频道。
该ADG849是提供微型6引脚SC70封装，
它适用于空间受限应用的理想选择。
产品亮点
1.
2.
3.
4.
5.
极低的导通电阻为0.5 Ω典型。
微小的， 6引脚SC70封装。
低功耗。该CMOS结构确保
低功耗。
高载流能力。
低总谐波失真+噪声（ 0.01 ％典型值） 。
第0版
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ADG849
目录
规格................................................. .................................... 3
绝对最大额定值............................................... ............. 5
ESD注意事项................................................ .................................. 5
引脚配置和功能说明............................. 6
典型性能特征.............................................. 7
测试电路................................................ ........................................ 9
外形尺寸................................................ ....................... 11
订购指南................................................ .......................... 11
修订历史
7月4日 - 修订版0 ：初始版
第0版|第12页2
ADG849
特定网络阳离子
表1. V
DD
= 4.5 V至5.5 V ， GND = 0 V
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间
(R
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.5
0.6
0.05
0.095
0.13
0.18
±0.01
±0.04
0.11
0.22
0.125
0.24
0.7
0.8
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
=
–100
mA
参见图15
V
S
= 0.85 V，I
DS
=
–100
mA
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
=
–100
mA
V
DD
= 5.5 V
V
S
= 4.5 V/1 V, V
D
= 1 V/4.5 V,
见图16
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 4.5 V,
见图17
2.0
0.8
0.005
±0.1
2.5
11
15
9
13
5
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
%
pF的典型值
pF的典型值
V
DD
= 5.5 V ，数字输入= 0 V或5.5 V
μA （典型值）
μA（最大值）
V
IN
= V
INL
或V
INH
17
14
18
15
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，见图18
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 3 V ，见图18
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 3 V,
见图19
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 NF，见图20
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100千赫
见图21
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100 kHz时，
见图22
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的，见图23
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的，见图23
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
VS = 2 V P-P
1
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽： -3分贝
插入损耗
THD + N
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
50
–64
–64
38
0.04
0.01
52
145
0.001
1.0
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
第0版|第12页3
ADG849
表2. V
DD
= 2.7 V至3.6 V ， GND = 0 V
1
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间
(R
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入电容
动态特性
2
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
BBM
+25°C
-40 ° C至
+85°C
-40 ° C至
+125°C
0 V至V
DD
0.72
1.1
0.05
0.095
0.3
±0.1
±0.01
0.11
0.125
1.1
1.2
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的典型值
测试条件/评论
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -100毫安
参见图15
V
S
= 1.5 V，I
DS
= -100毫安
V
S
= 0 V到V
DD
, I
DS
= -100毫安
V
DD
= 3.6 V
V
S
= 3 V/1 V, V
D
= 1 V / 3 V ，见图16
V
S
= V
D
= 1 V或V
S
= V
D
= 3 V;
见图17
2.0
0.8
0.7
0.005
±0.1
2.5
16
22
13
18
7
V分钟
V最大
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
pF的典型值
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
兆赫（典型值）
dB典型值
%
pF的典型值
pF的典型值
V
DD
= 3 V至3.6 V
V
DD
= 2.7 V
V
IN
= V
INL
或V
INH
24
20
26
22
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V，见图18
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的
V
S
= 1.5 V，见图18
R
L
= 50 , C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 1.5 V,
见图19
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 , C
L
= 1 NF，见图20
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100 kHz时，
见图21
R
L
= 50 , C
L
= 5 PF， F = 100 kHz时，
见图22
R
L
= 50 , C
L
= 5 pF的，见图23
R
L
= 50 C
L
= 5 pF的，见图23
R
L
= 32 Ω ， F = 20 Hz到20 kHz ，
VS = 1伏峰 - 峰值
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 3.6 V
数字输入= 0 V或3.6 V
1
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
带宽： -3分贝
插入损耗
THD + N
C
S
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
30
–64
–64
38
0.04
0.02
55
147
0.001
1.0
μA （典型值）
μA（最大值）
1
2
温度范围为Y版为-40 ° C至+ 125°C 。
通过设计保证，不受生产测试。
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ADG849
绝对最大额定值
表3吨
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
V
DD
到GND
模拟输入
1
数字输入
1
峰值电流，S或D
连续电流，S或D
工作温度范围
EXTENDED
存储温度范围
结温
SC70封装
θ
JA
热阻抗
θ
JC
热阻抗
再溢流焊接
峰值温度
在峰值温度的时间
等级
-0.3 V至+7 V
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或30 mA时，
以先到为准科幻RST
0.3 V到V
DD
+ 0.3 V或30 mA时，
以先到为准科幻RST
600毫安（脉冲为1毫秒，
10 ％占空比的最大值）
400毫安
-40 ° C至+ 125°C
-65 ° C至+ 150°C
+150°C
332°C/W
120°C/W
260(0/–5)°C
10秒40秒
表4.真值表
IN
0
1
开关S1
On
关闭
开关S2
关闭
On
注意，超出上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
只有等级;该器件在这些或任何功能操作
上述其他条件的业务部门上市
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。只有一个绝对最大额定值可能
在任一时间施加。
1
过电压在IN ，S或D将通过内部二极管钳位。当前
应限制在给定的最大额定值。
ESD警告
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易堆积在
人体和测试设备，可排出而不被发现。虽然这款产品的特点
专用ESD保护电路，永久性的损害可能在遇到高能量发生装置
静电放电。因此，适当的ESD防范措施建议，以避免性能
下降或功能丧失。
第0版|第12页5
