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Am29DL640D
数据表
此产品已经退休,不适用于设计。
对于涉及TSOP封装的新的和现有的设计, S29JL064H取代Am29DL640D ,是出厂
推荐的迁移路径。请参阅S29JL064H数据表的规格和订购信息
化。
对于涉及精细间距BGA ( FBGA )封装的新型电流设计, S29PL064J取代Am29DL640D
而且是厂家推荐的迁移路径。请参阅S29PL064J数据表的规格和
订购信息。
可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
2003年7月
下列文件规定,现由双方高级Spansion公司提供的内存产品
AMD和富士通。虽然该文档被标记与该公司的名称
最初开发的规范,这些产品将提供给AMD和客户
富士通。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备作为Spansion公司产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据表的改进的结果,并且将记录在
文档修订概要,其中支持。拨款时,会出现未来的例行修订
吃,并且更改将记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。对
订购这些产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息MEM-
ORY解决方案。
公开号
23695
调整
C
修订
3
发行日期
2005年12月13日
A D V A N权证
我N· R M一T I O 4 N
本页面故意留下空白
2
2005年12月13日
Am29DL640D
64兆位(8M ×8位/ 4米×16位)
CMOS 3.0伏只,同步读/写闪存
此产品已经退休,不适用于设计。
对于涉及TSOP封装的新的和现有的设计, S29JL064H取代Am29DL640D ,是厂家推荐的迁移路径。请参阅S29JL064H数据表
为规范和订购信息。
对于涉及精细间距BGA ( FBGA )封装的新型电流设计, S29PL064J取代Am29DL640D ,是厂家推荐的迁移路径。请参阅
为规范和订购信息S29PL064J数据。
可用性本文档的保留仅供参考,历史的目的。
特色鲜明
架构优势
同时读/写操作
- 数据可以不断地从一家银行,而读
执行擦除/编程功能的另一家银行。
读取和写入操作之间的零延迟
灵活的银行
TM
架构
- 读取可能发生在任何三个银行不是
写或擦除。
- 四家银行可以通过客户进行分组,以实现
所需的银行部门。
引导扇区
- 在同一装置顶部和底部引导扇区
- 任何部门的结合可以被删除
在0.23微米制程技术制造的
安全硅行业:额外256字节扇区
工厂锁定和识别:
适用于16字节
安全的,随机的工厂电子序列号;
通过自动选择可验证的工厂被锁定
功能。 ExpressFlash选项可以让整个部门
可用于工厂数据保护
客户可锁定:
可以读取或编程只是
像其他行业。一旦被锁定,数据不能被
零功耗工作
- 先进的电源管理电路减少
在非活动期间到近功率消耗
零。
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
封装选项
63球精细间距BGA
48针TSOP
性能特点
高性能
- 存取时间快90纳秒
- 计划时间: 4微秒/字典型的利用加速
功能
超低功耗(典型值)
- 2毫安在1 MHz有源读取电流
- 在5 MHz 10毫安有效的读电流
- 200 nA的待机或自动睡眠模式
按最低保证百万次擦写
扇形
20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
软件特点
数据管理软件( DMS )
- AMD公司提供的软件管理数据编程,
使EEPROM仿真
- 简化的历史扇区擦除闪存的局限性
支持通用闪存接口( CFI )
编程/擦除暂停/删除恢复
- 挂起编程/擦除操作,使
编程/擦除在同一家银行
数据#查询和翻转位
- 提供了检测的状态的软件的方法
编程或擦除周期
解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
硬件特性
就绪/忙#输出( RY / BY # )
硬件方法检测编程或擦除
周期结束
硬件复位引脚( RESET # )
硬件复位内部状态的方法
机读方式
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能保护扇区0 , 1 ,
140和141 ,无论部门保护状态
- 加速度( ACC )功能,加速项目
定时
扇区保护
硬件锁定的扇区的方法,无论是
在系统或使用编程设备,以
防止任何程序或内擦除操作
扇形
- 临时机构撤消允许更改数据
在系统保护部门
出版#
23695
启:
C
Amendment/3
发行日期:
2005年12月13日
请参考AMD的网站( www.amd.com )了解最新信息。
概述
该Am29DL640D是64兆, 3.0伏,只闪光
存储设备,组织成16 4,194,304字
每一比特或8,388,608字节,每个字节8比特。字
模式数据显示在DQ0 - DQ15 ;字节模式数据
出现在DQ0 - DQ7 。该装置被设计成
在系统编程与标准3.0伏V
CC
供应,并且也可以在标准编程
EPROM编程器。
该装置可具有90或接入时间
120纳秒,并提供48引脚TSOP和63球
细间距的BGA 。标准控制引脚芯片使能
( CE# ),写使能(WE # )和输出使能
( OE # ) - 控制正常的读写操作,并
防止总线争用问题。
只有一个设备需要
单3.0伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
字节ESN (电子序列号) ,客户代码
(通过AMD的ExpressFlash服务编程)
或两者。客户可锁定部分可利用的硒
固化硅业作为奖金的空间,阅读和
写作就像任何其他的闪存部门,或永久
锁定自己的代码中有。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS还允许
系统软件被简化,因为它执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosystem swhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计,
软件的整合力度。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
R 。牛逼hiscanbeachi EV EDIN - systemorvia
编程设备。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分割成
四家银行,
两个8 Mb的银行和小
大部门,大部门的两个24 Mb的银行。
扇区地址是固定的,系统软件可
用于形成用户定义的组群。
在擦除/编程操作,任何三个
非繁忙的银行,可以读出。需要注意的是只有两
银行可以同时操作。该设备可以IM-
通过允许主机证明系统的整体性能
系统编程或擦除在一家银行,然后
立即并同时从另一个读
银行,零延迟。这种释放系统从
等待完成编程或擦除
操作。
该Am29DL640D可以被组织为两个一顶和
底部引导扇区配置。
银行
银行1
2银行
3银行
4银行
8兆
24 MB
24 MB
8兆
扇区大小
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
四十八个64千字节/ 32 K字
8个8字节/ 4千字,
15 64字节/ 32 K字
Am29DL640D特点
安全硅行业
是一个额外的256字节节
器能够被永久锁定, AMD或
客户。该
安全硅标志位
(DQ7)
永久设置为1;如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。在硒
固化的硅扇区可存储一个安全的,随机的16
2
Am29DL640D
2005年12月13日
目录
产品选择指南。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
框图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
连接图。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
引脚说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
设备总线操作。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
表1. Am29DL640D设备总线操作................................ 9
写操作状态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 29
DQ7 :数据#投票............................................. .................... 29
图6.数据#投票算法........................................... ....... 29
RY / BY # :就绪/忙# .........................................三十
DQ6 :切换位I ............................................. ....................... 30
图7.切换位算法............................................ ............ 30
字/字节配置........................................ 9
对于读阵列数据要求..................................... 9
写命令/命令序列............................ 10
加快程序运行............................................. 10
自选功能................................................ .............. 10
同时读/写操作零延迟....... 10
待机模式................................................ ...... 10
自动休眠模式............................................... ............ 11
RESET # :硬件复位引脚............................................ ... 11
输出禁止模式............................................... ............... 11
表2. Am29DL640D部门架构.................................... 11
表3.银行地址............................................. ....................... 14
安全硅扇区地址............................. 14
DQ2 :触发位II ............................................. ...................... 31
阅读切换位DQ6 / DQ2 ............................................ ... 31
DQ5 :超过时序限制............................................. ... 31
DQ3 :扇区擦除定时器............................................. .......... 31
表13.写操作状态............................................ ....... 32
绝对最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
图8.最大负过冲波形...................... 33
图9.最大正过冲波形........................ 33
工作范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33
直流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
图10.我
CC1
电流与时间(显示主动和
自动休眠电流) .............................................. ............... 35
图11.典型I
CC1
与频率............................................ 35
测试条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图12.测试设置............................................. ....................... 36
自选模式................................................ ... 14
表5. Am29DL640D自动选择码, (高压法) 15
键来开关波形。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
图13.输入波形和测量水平................. 36
部门/部门块保护和16 unprotection的
表6. Am29DL640D引导扇区/扇区块的地址亲
tection / unprotection的............................................... ......................... 16
交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 37
只读操作.............................................. ............. 37
图14.读操作时序............................................ ... 37
写保护( WP # ) ............................................ .................... 17
表7. WP # / ACC模式.......................................... .................... 17
硬件复位( RESET # ) ............................................ ........ 38
图15.复位时序............................................. .................. 38
临时机构撤消............................................... ... 17
图1.临时机构撤消操作........................... 17
图2.在系统部门保护/撤消算法.............. 18
字/字节配置( BYTE # ) .......................................... 39
图16. BYTE #时序进行读操作............................ 39
图17. BYTE #时序写操作............................ 39
安全硅行业
闪存地区............................................... ............. 19
图3.安全硅部门保护验证.............................. 20
擦除和编程操作.............................................. 40
图18.程序操作时序..........................................
图19.加速程序时序图..........................
图20.芯片/扇区擦除操作时序..........................
图21.返回到后端的读/写周期时序......................
图22.数据#投票计时(在嵌入式算法) 。
图23.触发位计时(在嵌入式算法) ......
图24. DQ2与DQ6 ........................................... ......................
41
41
42
43
43
44
44
硬件数据保护............................................... ....... 20
低VCC写禁止.............................................. .............. 20
写脉冲“毛刺”保护............................................ ... 20
逻辑禁止................................................ .......................... 20
上电写禁止............................................. ............... 20
通用闪存接口( CFI ) 。 。 。 。 。 。 。 20
表8. CFI查询标识字符串......................
系统接口字符串...............................................
表10.设备几何定义........................
表11.主要供应商特定的扩展查询..
21
21
22
23
临时机构撤消............................................... ... 45
图25.临时机构撤消时序图.............. 45
图26.行业/部门块保护和
撤消时序图............................................... .............. 46
命令定义。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
读阵列数据............................................... ................. 24
复位命令................................................ ..................... 24
自选命令序列............................................ 24
进入/退出安全硅行业
命令序列................................................ .............. 24
字节/字编程命令序列............................. 25
解锁绕道命令序列..................................... 25
图4.程序运行............................................. ............. 26
备用CE #控制的擦除和编程操作..... 47
图27.备用CE #控制的写入(擦除/编程)
操作时序................................................ .......................... 48
芯片擦除命令序列........................................... 26
扇区擦除命令序列........................................ 26
擦除暂停/删除恢复命令........................... 27
图5.擦除操作............................................. .................. 27
表12. Am29DL640D命令定义.......... 28
擦除和编程性能。 。 。 。 。 。 。 49
闭锁特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
TSOP引脚电容。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
数据保留。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 49
物理尺寸。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50
FBE063-63球细间距球栅阵列( FBGA )
12 ×11毫米封装............................................. ................. 50
TS 048-48针标准TSOP .......................................... .. 51
修订概要。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 52
2005年12月13日
Am29DL640D
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    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

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    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

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