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低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规

发布时间:2022/12/9 0:02:15 访问次数:268

微控制器支持根据终端应用的具体需求定制电机控制算法,栅极驱动器用于控制逆变器开关管。配套固件包括高效无传感器矢量控制(foc)算法。该sip是一款尺寸紧凑、热效率高的方形扁平无引线(qfn)封装,可满足安全性和可靠性对爬电距离的严格要求。

离线ac/dc 转换器是一个viper122模拟转换器,集成了控制逻辑器件和800v 耐雪崩功率电路。频率抖动技术可防止转换器干扰其他设备,固有的低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规。

工业和通用250w steval-ctm011v1参考设计的逆变级包括六个高鲁棒性的stgd5h60df绝缘栅双极晶体管(igbt)。这些晶体管的设计旨在最大限度地提升高开关频率的能效,允许使用更小的电容和磁性元件。此外,封装的低热阻率还增强了晶体管的可靠性,并且紧密的参数分布有助于提高晶体管在大功率应用中并联安全性。

pcie 5.0、ocp数据中心nvme ssd规范和e1.s等下一代技术有超大规模的需求,以实现更高的效能、散热和管理。montitan平台支持pcie 5.0、ocp数据中心nvme 2.0 ssd规范和e1.s,可满足下一代超大规模需求。

montitan sm8366 asic是一款双端口企业和数据中心pcie gen5 x4 nvme主控芯片,具有16个nand通道,最高支持2400mt/s。sm8366 提供业界领先的超快顺序(>14gb/s)和随机(>3.0m iops)读写性能,并包含一个可扩展的单/双通道40位ddr4-3200/ddr5-4800 dram接口。采用montitan平台的高性能sm8366释放了曾经受限于传统存储架构的潜力,提供灵活、高完整性的解决方案,以实现数据中心ssd设计的新标准。

sm8366 ssd主控芯片和高性能pcie gen5 montitan平台。用户可编程且功能丰富的平台能够发挥bics flash和xl-flash的潜力,并为我们共同的企业和数据中心客户开辟新的机遇,从而实现广泛的应用。

将unitedsic的新d2pak-7l封装安装到pcb上或采用液冷的隔离金属基板上,它将具有具备出众的热性能。事实上,因为这些封装内的第四代750v sic fet的损耗非常低,所以,通常,只需pcb垫就可以提供足够的散热,甚至在电池充电器和电动机等功率非常高的应用中也是如此。

unitedsic提供的七个器件的导通电阻从60毫欧到9毫欧不等,适合各种应用和预算。没有什么竞争器件能与其相比,最接近的器件也仅仅达到11毫欧.

d2pak-7l封装的性能优于to-247,且源极和漏极连接之间有更好的外部间隔,更方便进行pcb布局和遵守安全机构的漏电与间隙要求。更小的封装尺寸还能减小封装接合线的长度,这是一个重要优势,因为晶粒rds(on)和晶粒体积都在不断缩小。由于线接合处更短且鸥翼形引脚长度造成的环形更小,电感会降低,从而使碳化硅开关技术可能带来的快速di/dt速率导致的电压峰值降低。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com

微控制器支持根据终端应用的具体需求定制电机控制算法,栅极驱动器用于控制逆变器开关管。配套固件包括高效无传感器矢量控制(foc)算法。该sip是一款尺寸紧凑、热效率高的方形扁平无引线(qfn)封装,可满足安全性和可靠性对爬电距离的严格要求。

离线ac/dc 转换器是一个viper122模拟转换器,集成了控制逻辑器件和800v 耐雪崩功率电路。频率抖动技术可防止转换器干扰其他设备,固有的低功耗和轻负载突发模式操作有助于应用符合能效法规。

工业和通用250w steval-ctm011v1参考设计的逆变级包括六个高鲁棒性的stgd5h60df绝缘栅双极晶体管(igbt)。这些晶体管的设计旨在最大限度地提升高开关频率的能效,允许使用更小的电容和磁性元件。此外,封装的低热阻率还增强了晶体管的可靠性,并且紧密的参数分布有助于提高晶体管在大功率应用中并联安全性。

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d2pak-7l封装的性能优于to-247,且源极和漏极连接之间有更好的外部间隔,更方便进行pcb布局和遵守安全机构的漏电与间隙要求。更小的封装尺寸还能减小封装接合线的长度,这是一个重要优势,因为晶粒rds(on)和晶粒体积都在不断缩小。由于线接合处更短且鸥翼形引脚长度造成的环形更小,电感会降低,从而使碳化硅开关技术可能带来的快速di/dt速率导致的电压峰值降低。

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